文献
J-GLOBAL ID:201802212115947906
整理番号:18A0446868
高信頼磁場サイクリング特性を有するp+Ge上のサブnm EOT強誘電HfO_2【Powered by NICT】
Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties
著者 (7件):
Tian X.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Xu L.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Shibayama S.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Nishimura T.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Yajima T.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Migita S.
(National Institute of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Toriumi A.
(The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
37.1.1-37.1.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)