文献
J-GLOBAL ID:201802212328945372
整理番号:18A1773609
共鳴トンネルダイオードの電流密度プロファイルに及ぼす自己無撞着法の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Self-Consistency Technique on Current Density Profile of Resonant Tunneling Diode
著者 (4件):
Deyasi Arpan
(Department of Electronics and Communication Engineering, RCC Institute of information Technology, Kolkata, INDIA)
,
Lodh Rupali
(Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA)
,
Karmakar Biswarup
(Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA)
,
Biswas Pradipta
(Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IEMENTech
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)