文献
J-GLOBAL ID:201802212386640029
整理番号:18A0728871
低バンドギャップ歪(Si)Ge(Sn)半導体上のゲートスタックとNi(SiGeSn)金属接触形成【JST・京大機械翻訳】
Gate stack and Ni(SiGeSn) metal contacts formation on low bandgap strained (Si)Ge(Sn) semiconductors
著者 (9件):
Buca D.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
Schulte-Braucks C.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
von den Driesch N.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
Tiedemann A. T.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
Breuer U.
(Central Division of Analytical Chemistry (ZCH), Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
Hartmann J.M.
(CEA, LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Zaumseil P.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Mantl S.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
,
Zhao Q.T.
(Peter Gruenberg Institute (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IWJT
ページ:
1
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)