文献
J-GLOBAL ID:201802212439567268
整理番号:18A1341988
LSI一体集積のためのシリコン上PbS量子ドット赤外フォトダイオードの試作
Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform
著者 (10件):
肥後昭男
(東京大学大規模集積システム設計教育研究センター)
,
三田吉郎
(東京大学大学院工学系研究科)
,
Wang Haibin
(東京大学先端科学技術研究センター)
,
久保貴哉
(東京大学先端科学技術研究センター)
,
瀬川浩司
(東京大学先端科学技術研究センター)
,
宇佐美尚人
(東京大学大学院工学系研究科)
,
岡本有貴
(東京大学大学院工学系研究科)
,
山田健太郎
(東京大学大学院工学系研究科)
,
竹城雄大
(東京大学大学院工学系研究科)
,
杉山正和
(東京大学先端科学技術研究センター)
資料名:
電気学会論文誌 E
(IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻:
138
号:
7
ページ:
307-311(J-STAGE)
発行年:
2018年
JST資料番号:
L3098A
ISSN:
1341-8939
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)