文献
J-GLOBAL ID:201802212562638903
整理番号:18A0194122
Samsung mm2,8Gb NANDフラッシュメモリの電子照射【Powered by NICT】
Electron Irradiation of Samsung 8-Gb NAND Flash Memory
著者 (5件):
Irom Farokh
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
,
Edmonds Larry D.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
,
Allen Gregory R.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
,
Kim Wousik
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
,
Vartanian Sergeh
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
65
号:
1
ページ:
27-33
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)