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文献
J-GLOBAL ID：201802212801704146
整理番号：18A0612338
パルスNH_3により堆積したGaN中間層を持つIn_0 15Ga_0Ga0.85N可視光金属-semiconductor-金属光検出器【Powered by NICT】
In0.15Ga0.85N visible-light metal-semiconductor-metal photodetector with GaN interlayers deposited by pulsed NH3
Wang Hongxia
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Zhang Xiaohan
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Wang Hailong
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Lv Zesheng
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Li Yongxian
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Li Bin
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Yan Huan
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Qiu Xinjia
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
,
Jiang Hao
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 489 ページ： 31-35 発行年： 2018年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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