文献
J-GLOBAL ID:201802212954984896
整理番号:18A1876392
PEDOT:PSSゲートによる表面キャリア密度の制御:シリコン-誘電体界面再結合の研究への応用【JST・京大機械翻訳】
Controlling Surface Carrier Density via a PEDOT:PSS Gate: An Application to the Study of Silicon-Dielectric Interface Recombination
著者 (1件):
Bonilla Ruy S.
(Department of Materials, University of Oxford, Parks Rd, OX1 3PH, Oxford, United Kingdom)
資料名:
Solar RRL
(Solar RRL)
巻:
2
号:
10
ページ:
e1800172
発行年:
2018年
JST資料番号:
W3682A
ISSN:
2367-198X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)