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文献
J-GLOBAL ID：201802213160166834
整理番号：18A1675279
高品質Al_0.95Ga_0.05Sbバッファ層を持つ歪んだIn_0.25Ga_0.75Sb量子井戸における高正孔移動度【JST・京大機械翻訳】
High hole mobility in strained In0.25Ga0.75Sb quantum well with high quality Al0.95Ga0.05Sb buffer layer
Roh IlPyo
(Department of Electronics and Communications Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea)
,
Kim SangHyeon
(Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea)
,
Geum Dae-Myeong
(Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea)
,
Lu Wenjie
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 20139, USA)
,
Song YunHeub
(Department of Electronics and Communications Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 20139, USA)
,
Song JinDong
(Center of Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, South Korea)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 9 ページ： 093501-093501-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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