文献
J-GLOBAL ID:201802213162433309
整理番号:18A2042345
3C-SiCと4H-SiCパワーMOSFETの比較【JST・京大機械翻訳】
Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs
著者 (2件):
van Zeghbroeck Bart
(University of Colorado at Boulder, Department of ECEE; Boulder, USA, 425 UCB)
,
Fardi Hamid
(University of Colorado Denver; Boulder, USA, CO 80309-0425)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
774-777
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)