文献
J-GLOBAL ID:201802213248367586
整理番号:18A1942088
高品質再構成可能な黒リンp-n接合【JST・京大機械翻訳】
High-Quality Reconfigurable Black Phosphorus p-n Junctions
著者 (6件):
Tian He
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Li Linsen
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Mohammad Mohammad Ali
(School of Chemical and Materials Engineering, National University of Sciences and Technology, Islamabad, Pakistan)
,
Wang Xuefeng
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Yang Yi
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Ren Tian-Ling
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
11
ページ:
5118-5122
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)