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文献
J-GLOBAL ID：201802213281933893
整理番号：18A0239874
平面デバイス形状を有する歪BiFeO_3薄膜における光伝導の厚さ依存性【Powered by NICT】
Thickness Dependence of Photoconductance in Strained BiFeO3 Thin Films With Planar Device Geometry
Huang Zhifeng
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Li Peilian
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Fan Zhen
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Fan Hua
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Luo Qiuyuan
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Chen Chao
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Chen Deyang
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Zeng Min
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Qin Minghui
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Zhang Zhang
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Lu Xubing
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Gao Xingsen
(Institute for Advanced Materials, Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, 510006 Guangzhou, China)
,
Liu Jun-Ming
(Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, No. 22 Hankou Rd Gulou District, 210093 Nanjing, China)
資料名：
Physica Status Solidi. Rapid Research Letters
(Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12 号： 1 ページ： ROMBUNNO.201700301 発行年： 2018年
JST資料番号： W1880A ISSN： 1862-6254 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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