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文献
J-GLOBAL ID：201802213338421300
整理番号：18A2042325
1200V SiC MOSFETのTCADモデリング【JST・京大機械翻訳】
TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET
Lee K.
(ON Semiconductor; Korea, South)
,
Buono Benedetto
(ON Semiconductor; Sweden)
,
Domeij Martin
(ON Semiconductor; Sweden)
,
Franchi Jimmy
(ON Semiconductor; Sweden)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 924 ページ： 689-692 発行年： 2018年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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