文献
J-GLOBAL ID:201802213559856209
整理番号:18A1567713
Si/Ge界面における応力に及ぼす点欠陥の影響の分子動力学研究【JST・京大機械翻訳】
Molecular dynamics study of the effect of point defects on the stress at the Si/Ge interface
著者 (4件):
Chen Xian
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China)
,
Zhang Jing
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China)
,
Han Liang
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an 710071, PR China)
,
Tang Zhaohuan
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, ChongQing 400060, PR China)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
456
ページ:
43-48
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)