文献
J-GLOBAL ID:201802214341826330
整理番号:18A0185771
ディープサブミクロンSTT-RAMのためのデータ細胞変動許容デュアルモードセンシング方法【Powered by NICT】
Data-Cell-Variation-Tolerant Dual-Mode Sensing Scheme for Deep Submicrometer STT-RAM
著者 (5件):
Na Taehui
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Song Byungkyu
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Kim Jung Pill
(Advanced Technology, Qualcomm Inc., San Diego, CA, USA)
,
Kang Seung H.
(Advanced Technology, Qualcomm Inc., San Diego, CA, USA)
,
Jung Seong-Ook
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻:
65
号:
1
ページ:
163-174
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0226B
ISSN:
1549-8328
CODEN:
ITCSCH
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)