文献
J-GLOBAL ID:201802214435360665
整理番号:18A0178132
シリコンナノワイヤ電界効果トランジスタベースpHセンサの感度のナノワイヤサイズ依存性
Nanowire size dependence on sensitivity of silicon nanowire field-effect transistor-based pH sensor
著者 (7件):
LEE Ryoongbin
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KWON Dae Woong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sihyun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sangwan
(Ajou Univ., Suwon, KOR)
,
MO Hyun-Sun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dae Hwan
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
12
ページ:
124001.1-124001.6
発行年:
2017年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)