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J-GLOBAL ID:201802214444842065   整理番号:18A0476004

最適化されたp-GaNゲートAlGaN/GaNH EMTの非意図的ドープしたGaNバッファ層におけるトラップ準位の影響【Powered by NICT】

Effects of the Trap Level in the Unintentionally Doped GaN Buffer Layer on Optimized p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
著者 (9件):
Ge Mei
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Cai Qing
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Zhang Baohua
(Department of Physics, Changji College, Changji, 831100, China)
Chen Dunjun
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Hu Liqun
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Xue Junjun
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjign University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China)
Lu Hai
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Zhang Rong
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
Zheng Youdou
(The Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 215  号:ページ: ROMBUNNO.201700368  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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