文献
J-GLOBAL ID:201802214550553793
整理番号:18A1777163
バナジウムドープInZnO薄膜の電気的および光学的性質の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of the electrical and optical properties of vanadium doped InZnO thin films
著者 (4件):
Kwon Sera
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea)
,
Kim Deuk Young
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea)
,
Jun Byung-Hyuk
(Neutron Utilization Research Division, Korea Atomic Energy Research Institute, Daejeon 34057, South Korea)
,
Chung Kwun-Bum
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
113
号:
12
ページ:
121905-121905-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)