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J-GLOBAL ID：201802214730602719 整理番号：18A0242637

ヒステリシス最小1V動作2D TMDトランジスタのための高分子/酸化物二重層誘電体【Powered by NICT】

Polymer/oxide bilayer dielectric for hysteresis-minimized 1 V operating 2D TMD transistors

著者 (4件)：

Yoon Minho

(Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. semicon@yonsei.ac.kr)

Ko Kyeong Rok

Min Sung-Wook

Im Seongil

資料名：

RSC Advances (Web) (RSC Advances (Web))

巻： 8 号： 6 ページ： 2837-2843 発行年： 2018年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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