文献
J-GLOBAL ID:201802214730602719
整理番号:18A0242637
ヒステリシス最小1V動作2D TMDトランジスタのための高分子/酸化物二重層誘電体【Powered by NICT】
Polymer/oxide bilayer dielectric for hysteresis-minimized 1 V operating 2D TMD transistors
著者 (4件):
Yoon Minho
(Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. semicon@yonsei.ac.kr)
,
Ko Kyeong Rok
,
Min Sung-Wook
,
Im Seongil
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
8
号:
6
ページ:
2837-2843
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)