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文献
J-GLOBAL ID：201802215264555135
整理番号：18A0796460
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの動的性能に及ぼす多結晶AlN膜の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of polycrystalline AlN film on the dynamic performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Zhang Dongliang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Cheng Xinhong
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Zheng Li
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Shen Lingyan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Wang Qian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Gu Ziyue
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Qian Ru
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Wu Dengpeng
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Zhou Wen
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Cao Duo
(Department of Physics, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China)
,
Yu Yuehui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名：
Materials & Design
(Materials & Design)
巻： 148 ページ： 1-7 発行年： 2018年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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