文献
J-GLOBAL ID:201802215384363160
整理番号:18A0446767
直径サブ10nm InGaAs垂直ナノワイヤMOSFET【Powered by NICT】
Sub-10 nm diameter InGaAs vertical nanowire MOSFETs
著者 (6件):
Zhao X.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
,
Heidelberger C.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
,
Fitzgerald E. A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
,
Lu W.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
,
Vardi A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
,
del Alamo J. A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
17.2.1-17.2.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)