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文献
J-GLOBAL ID：201802215426640888
整理番号：18A2107924
オルトケイ酸テトラエチルを用いたホットワイヤCVDによる発光性シリコンオキシカーバイド薄膜:チャンバー圧力と堆積後アニーリングの役割【JST・京大機械翻訳】
Luminescent Silicon Oxycarbide Thin Films via Hot-wire CVD using Tetraethyl Orthosilicate: Role of the Chamber Pressure and Post-deposition Annealing
Ramos-Serrano J. R.
(Programa de Nanociencias y Nanotecnologi ́a, CINVESTAV-IPN, Me ́xico City, Me ́xico)
,
Matsumoto Y.
(Departamento de ingenieri ́a ele ́ctrica, CINVESTA-IPN, Me ́xico City, Me ́xico)
,
Morales C.
(Centro de investigacio ́n en dispositivos semiconductores, BUAP, Puebla, Me ́xico)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： CCE ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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