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文献
J-GLOBAL ID：201802215597623011
整理番号：18A0312182
Al2O3結合層を介してシリコン-オン-インシュレータ(SOI)導波路回路上に集積した2μm InGaSb/GaSb量子井戸レーザの設計と解析
Design and Analysis of 2-μm InGaSb/GaSb Quantum Well Lasers Integrated Onto Silicon-on-Insulator (SOI) Waveguide Circuits Through an Al2O3 Bonding Layer
LI Xiang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WANG Hong
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
QIAO Zhongliang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ZHANG Yu
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
NIU Zhichuan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
TONG Cunzhu
(Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN)
,
LIU Chongyang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 22 号： 6 ページ： ROMBUNNO.1500507.1-7 発行年： 2016年
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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