文献
J-GLOBAL ID:201802215602917166
整理番号:18A0000061
原子層堆積によって堆積した薄いAl2O3中間層を持つ場合と持たない場合の金属/非極性m面ZnO接触
Metal/nonpolar m-plane ZnO contacts with and without thin Al2O3 interlayer deposited by atomic layer deposition
著者 (4件):
KIM Hogyoung
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
KIM Dong Ha
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
RYU Sungyeon
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
CHOI Byung Joon
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
20
ページ:
14974-14980
発行年:
2017年10月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)