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文献
J-GLOBAL ID：201802215607085994
整理番号：18A0118531
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果
Effect of SiOx capping film on crystallization of Ge film by flash lamp annealing
吉岡尚輝
(兵庫県大 大学院工学研究科)
,
秋田佳輝
(兵庫県大 大学院工学研究科)
,
部家彰
(兵庫県大 大学院工学研究科)
,
松尾直人
(兵庫県大 大学院工学研究科)
,
小濱和之
(大阪大)
,
伊藤和博
(大阪大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 372(EID2017 11-29) ページ： 77-80 発行年： 2017年12月15日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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