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文献
J-GLOBAL ID：201802215629654435
整理番号：18A0929777
単層WSe_2-MOS_2横ヘテロ接合の自己整列およびスケーラブル成長【JST・京大機械翻訳】
Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunctions
Li Ming-Yang
(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan)
,
Li Ming-Yang
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Pu Jiang
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
,
Huang Jing-Kai
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Miyauchi Yuhei
(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)
,
Matsuda Kazunari
(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)
,
Takenobu Taishi
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
,
Li Lain-Jong
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 28 号： 17 ページ： e1706860 発行年： 2018年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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