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文献
J-GLOBAL ID：201802215680944696
整理番号：18A0631157
Ge/SiのTFETの電気特性に及ぼすGe源の不純物濃度の影響
Effects of the impurity concentration in the Ge sources on the electrical properties of Ge/Si TFETs
BAE Tae-Eon
(Univ. of Tokyo)
,
KATO Kimihiko
(Univ. of Tokyo)
,
SUZUKI Ryota
(Univ. of Tokyo)
,
NAKANE Ryosho
(Univ. of Tokyo)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. of Tokyo)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. of Tokyo)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th ページ： ROMBUNNO.17p-P8-3 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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