文献
J-GLOBAL ID:201802215690456098
整理番号:18A1066931
熱蒸発によるc-サファイア基板上のC8-BTBT層の成長と特性【JST・京大機械翻訳】
Growth and Characteristics of C8-BTBT Layer on C-Sapphire Substrate by Thermal Evaporation
著者 (6件):
Moh Aye M.
(Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan)
,
Khoo Pei Loon
(Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan)
,
Sasaki Kimihiro
(Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan)
,
Watase Seiji
(Morinomiya Center, Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (ORIST), Osaka, 536-8553, Japan)
,
Shinagawa Tsutomu
(Morinomiya Center, Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology (ORIST), Osaka, 536-8553, Japan)
,
Izaki Masanobu
(Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
215
号:
11
ページ:
e1700862
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)