文献
J-GLOBAL ID:201802215758390039
整理番号:18A0623711
室温でNO_2へMoS_2/多孔質シリコンナノ細線ヘテロ接合の高度に増強された応答【Powered by NICT】
Highly enhanced response of MoS2/porous silicon nanowire heterojunctions to NO2 at room temperature
著者 (6件):
Zhao Shufen
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China. zcli@mail.tsinghua.edu.cn)
,
Li Zhengcao
,
Wang Guojing
,
Liao Jiecui
,
Lv Shasha
,
Zhu Zhenan
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
8
号:
20
ページ:
11070-11077
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)