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文献
J-GLOBAL ID：201802215773994046
整理番号：18A1859637
三ハロゲン化物気相エピタクシーによるn極GaN成長の成長温度と過剰塩素効果【JST・京大機械翻訳】
Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy
Takekawa Nao
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Hayashida Naoto
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Ohzeki Daisuke
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Yamaguchi Akira
(TAIYO NIPPON SANSO Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba 300-2611 Japan)
,
Murakami Hisashi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Kumagai Yoshinao
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Matsumoto Koh
(TAIYO NIPPON SANSO Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba 300-2611 Japan)
,
Koukitu Akinori
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 502 ページ： 7-13 発行年： 2018年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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