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文献
J-GLOBAL ID：201802215972857380
整理番号：18A1183462
表面硫化Cu(InGa)Se2薄膜太陽電池における再結合の減少
Reduced recombination in a surface-sulfurized Cu(InGa)Se2 thin-film solar cell
KIM Shinho
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NISHINAGA Jiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KAMIKAWA Yukiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHIZUKA Shogo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NAGAI Takehiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KOIDA Takashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TAMPO Hitoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA Hajime
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUBARA Koji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NIKI Shigeru
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 5 ページ： 055701.1-055701.6 発行年： 2018年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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