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文献
J-GLOBAL ID：201802216142691735
整理番号：18A0845137
35GHzで42.8%電力付加効率を持つ高温リセスミリ波AlGaN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】
High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz
Zhang Yichuan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wei Ke
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Huang Sen
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Xinhua
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zheng Yingkui
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Guoguo
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Chen Xiaojuan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Li Yankui
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Xinyu
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 5 ページ： 727-730 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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