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文献
J-GLOBAL ID：201802216832779013
整理番号：18A0159380
周辺金属-絶縁体ゲートを持つPbSiショットキークランプトランジスタの電子輸送特性【Powered by NICT】
Electronic transport properties of PbSi Schottky-clamped transistors with a surrounding metal-insulator gate
Zhang Lishu
(Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, Jinan 250061, People’s Republic of China. lihuilmy@hotmail.com)
,
Li Yifan
,
Li Tao
,
Li Hui
資料名：
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻： 8 号： 3 ページ： 1519-1527 発行年： 2018年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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