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文献
J-GLOBAL ID：201802216879320438
整理番号：18A1790692
触媒化学蒸着SiNx層と超薄SiOx膜を用いた化学耐性と光学透明性を有する結晶シリコンの高品質表面不活性化
High-quality surface passivation of crystalline silicon with chemical resistance and optical transparency by using catalytic chemical vapor deposition SiNx layers and an ultrathin SiOx film
TU Huynh Thi Cam
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
KOYAMA Koichi
(ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN)
,
NGUYEN Cong Thanh
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
OHDAIRA Keisuke
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 8S3 ページ： 08RB17.1-08RB17.4 発行年： 2018年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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