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文献
J-GLOBAL ID：201802217129881554
整理番号：18A1330527
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化物の定電圧・電流印加による抵抗スイッチング特性の評価
Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current
OHTA Akio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KATO Yusuke
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA Mitsuhisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAKIHARA Katsunori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S1 ページ： 06HD05.1-06HD05.4 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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