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文献
J-GLOBAL ID：201802217652207300
整理番号：18A0431452
パルス測定によるセンシング層としてMoS_2によるSi FET型湿度センサの正確で安定な湿度センシング特性【Powered by NICT】
An accurate and stable humidity sensing characteristic of Si FET-type humidity sensor with MoS2 as a sensing layer by pulse measurement
Shin Jongmin
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
,
Hong Yoonki
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
,
Wu Meile
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
,
Bae Jong-Ho
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
,
Kwon Hyuck-In
(School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea)
,
Park Byung-Gook
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
,
Lee Jong-Ho
(School of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 258 ページ： 574-579 発行年： 2018年
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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