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文献
J-GLOBAL ID：201802217764359677
整理番号：18A2034619
VO_2膜におけるナノスケール高伝導相と低伝導相の共存の直接証拠【JST・京大機械翻訳】
Direct evidence for the coexistence of nanoscale high-conduction and low-conduction phases in VO2 films
Feng Jiajun
(Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Yang Cheng
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Zhang Aihua
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Li Qiang
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Fan Zhen
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Qin Minghui
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Zeng Min
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Gao Xingsen
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Lin Yuan
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)
,
Zhou Guofu
(Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Lu Xubing
(Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
,
Liu J.-M.
(Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 17 ページ： 173104-173104-4 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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