文献
J-GLOBAL ID:201802217843199637
整理番号:18A0073631
温度上のGaNとGaAsH EMTにおける異常としきい値電圧シフト【Powered by NICT】
Anomaly and threshold voltage shifts in GaN and GaAs HEMTs over temperature
著者 (3件):
Alim Mohammad A
(Applied Physics, Electronic and Communication Engineering, University of Chittagong, Bangladesh)
,
Rezazadeh Ali A
(Microwave and Communication System Group, School of EEE, The University of Manchester, UK)
,
Gaquiere Christophe
(Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology (IEMN), The University of Lille, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EuMIC
ページ:
33-36
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)