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文献
J-GLOBAL ID：201802218167954260
整理番号：18A2075347
ボトムホモおよびヘテロInGaAsNサブセルの比較研究による照射誘起欠陥による3J InGaP/InGaAs/InGaAsN太陽電池の劣化解析【JST・京大機械翻訳】
Degradation analysis of 3J InGaP/InGaAs/InGaAsN solar cell due to irradiation induced defects with a comparative study on bottom homo and hetero InGaAsN subcell
Sukeerthi M.
(IIIT Chittoor, Sri City, Andhra Pradesh 517646, India)
,
Kotamraju Siva
(IIIT Chittoor, Sri City, Andhra Pradesh 517646, India)
,
Meetei Raghu
(U. R. Rao Satellite Centre, Bengaluru 560017, India)
,
Rao Prabhu Nireekshana
(U. R. Rao Satellite Centre, Bengaluru 560017, India)
資料名：
Solar Energy
(Solar Energy)
巻： 174 ページ： 728-734 発行年： 2018年
JST資料番号： E0099A ISSN： 0038-092X CODEN： SRENA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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