文献
J-GLOBAL ID:201802218289657477
整理番号:18A0623829
しきい値電圧と飽和電流上のAlGaN/GaN MIS FinFETのためのコンパクトな物理モデル【Powered by NICT】
Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current
著者 (3件):
Ren Kailin
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Liang Yung C.
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Huang Chih-Fang
(Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
4
ページ:
1348-1354
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)