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文献
J-GLOBAL ID：201802218434934963
整理番号：18A0588572
シリコン-オン-絶縁体MOSFETにおける界面結合効果に基づいた新しい光検出器【Powered by NICT】
A novel photodetector based on the interface coupling effect in silicon-on-insulator MOSFETs
Deng J. N.
(State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Shao J. H.
(State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Lu B. R.
(State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Chen Y. F.
(State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Zaslavsky A.
(Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, RI 02912, USA)
,
Cristoloveanu S.
(IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France)
,
Bawedin M.
(IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France)
,
Wan J.
(State key lab of ASICs and Systems, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： S3S ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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