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文献

J-GLOBAL ID：201802218500107758 整理番号：18A1903318

SAG-HVPEにおけるGaN 3-D微細構造の成長速度論を調整することによる結晶工学【JST・京大機械翻訳】

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE

著者 (8件)：

Avit Geoffrey

(Universite Clermont Auvergne, CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France. geoffreyavit@gmail.com)

Zeghouane Mohammed

Andre Yamina

Castelluci Dominique

Gil Evelyne

Bae Si-Young

Amano Hiroshi

Trassoudaine Agnes

資料名：

CrystEngComm (CrystEngComm)

巻： 20 号： 40 ページ： 6207-6213 発行年： 2018年
JST資料番号： W2462A ISSN： 1466-8033 CODEN： CRECF4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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