文献
J-GLOBAL ID:201802218792577904
整理番号:18A1028316
多接合太陽電池用の高指数Si基板上のGaAsの結晶成長【JST・京大機械翻訳】
Crystal growth of GaAs on high indexed Si substrates for multi-junction solar cells
著者 (4件):
Harada Ittetsu
(Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan)
,
Suzuki Hidetoshi
(Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan)
,
Ikari Tetsuo
(Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan)
,
Fukuyama Atsuhiko
(Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen Kibanadai Nishi, Miyazaki 889-2192, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PVSC
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)