文献
J-GLOBAL ID:201802218882302155
整理番号:18A2022263
単層HfSe_2のデバイス性能評価:高κHfO_2と互換性のある新しい層状材料【JST・京大機械翻訳】
Device Performance Assessment of Monolayer HfSe2: A New Layered Material Compatible With High- $¥kappa$ HfO2
著者 (2件):
AlMutairi AbdulAziz
(Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, Canada)
,
Yoon Youngki
(Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, Canada)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
11
ページ:
1772-1775
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)