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文献
J-GLOBAL ID：201802219101329479
整理番号：18A0190826
GaNベースH EMTの小信号特性解析のための改良された可変温度モデル【Powered by NICT】
An improved variable temperature model for small-signal characteristic analysis of GaN based HEMTs
Zhang Hengshuang
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Lu Yang
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhao Ziyue
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Yi Chupeng
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhu Qing
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Ma Xiaohua
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Hao Yue
(Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SSLChina: IFWS ページ： 216-218 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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