文献
J-GLOBAL ID:201802219279330293
整理番号:18A0058560
高温MEMSデバイスのためのp型GaNへのPdAl/Au金属合金オーミック接触の電気的および界面特性
Electrical and interface properties of PdAl/Au metal alloyed ohmic contacts on p-type GaN for high-temperature MEMS devices
著者 (8件):
PUNEETHA P. T.
(Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND)
,
REDDY M. Siva Pratap
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
LEE Young-Woong
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
JEONG Seong-Hoon
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
LOKANADHAM R.
(Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND)
,
PARK Chinho
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
PRADEEP A. Guru
(Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND)
,
REDDY V. Rajagopal
(Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
22
ページ:
16903-16909
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)