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J-GLOBAL ID：201802219494544566 整理番号：18A0633309

Mgイオン注入を用いた縦型GaN MOSFETの実現

著者 (6件)：

田中亮

(富士電機)

高島信也

(富士電機)

上野勝典

(富士電機)

松山秀昭

(富士電機)

江戸雅晴

(富士電機)

中川清和

(山梨大)

資料名：

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻： 65th ページ： ROMBUNNO.19p-C302-5 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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