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文献
J-GLOBAL ID：201802219669188683
整理番号：18A1008180
前駆体設計とプロセス調整による炭素ドープ酸化けい素の原子層堆積【JST・京大機械翻訳】
Atomic layer deposition of carbon doped silicon oxide by precursor design and process tuning
Wang Meiliang
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
,
Chandra Haripin
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
,
Lei Xinjian
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
,
Mallikarjunan Anupama
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
,
Cuthill Kirk
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
,
Xiao Manchao
(Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36 号： 2 ページ： 021509-021509-7 発行年： 2018年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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