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文献
J-GLOBAL ID：201802220228578048
整理番号：18A2167789
インジウムオキシスルフィド薄膜のプラズマ増強原子層堆積の化学に関する新しい洞察とCu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池におけるバッファ層としての使用【JST・京大機械翻訳】
New insights on the chemistry of plasma-enhanced atomic layer deposition of indium oxysulfide thin films and their use as buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cell
Bugot Cathy
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
,
Bouttemy Muriel
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
,
Schneider Nathanaelle
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
,
Etcheberry Arnaud
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
,
Lincot Daniel
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
,
Donsanti Frederique
(Institut Photovoltaieque Ile de France (IPVF), 30 route departementale 128, 91120 Palaiseau, France)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36 号： 6 ページ： 061510-061510-10 発行年： 2018年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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