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文献
J-GLOBAL ID：201802220595117306
整理番号：18A0159590
センサ応用のためのゲート付きラテラルバイポーラ接合トランジスタの新しい構造設計【Powered by NICT】
New Structural Design of Gated Lateral Bipolar Junction Transistor for Sensor Applications
Jeong Hyun-Min
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kwon Jin-Beom
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kwon Hyurk-Choon
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kim Ju-Seong
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Xu Binrui
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kwon Dae-Hyuk
(Department of Electronic Engineering, Kyungil University, Kyungsan, South Korea)
,
Kang Shin-Won
(School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 1 ページ： 243-250 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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