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J-GLOBAL ID：201802220654755246 整理番号：18A0969170

新しいSi-O-C原子間ポテンシャルを用いた(0001)Si面と(0001)c面の間の4H-SiCの異方性酸化速度の原子スケール機構の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidation of the atomic-scale mechanism of the anisotropic oxidation rate of 4H-SiC between the (0001) Si-face and (0001) C-face by using a new Si-O-C interatomic potential

著者 (6件)：

Takamoto So

(Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)

Yamasaki Takahiro

(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)

Ohno Takahisa

(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)

Kaneta Chioko

(Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan)

Hatano Asuka

(Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)

Izumi Satoshi

(Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 123 号： 18 ページ： 185303-185303-6 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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